onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 11.4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, NTMS4177PR2G, NTMS系列

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制造商零件编号:
NTMS4177PR2G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

11.4A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

NTMS

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

19mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

2.5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

29nC

正向电压 Vf

-1V

最高工作温度

150°C

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

4 mm

高度

1.5mm

汽车标准

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor


MOSFET 晶体管,ON Semiconductor