STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=710 V, 22 A, PowerFLAT, 表面安装, 5引脚, MDmesh M5系列
- RS 库存编号:
- 783-3056P
- 制造商零件编号:
- STL57N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 783-3056P
- 制造商零件编号:
- STL57N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 710V | |
| 系列 | MDmesh M5 | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 69mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 96nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8 mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22A | ||
最大漏源电压 Vd 710V | ||
系列 MDmesh M5 | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 69mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 96nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.95mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8 mm | ||
长度 8mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。