STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 18 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M2系列

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包装方式:
RS 库存编号:
783-3090P
制造商零件编号:
STW24N60M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh M2

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

190mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

29nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

高度

20.15mm

标准/认证

No

宽度

5.15 mm

长度

15.75mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics


STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics