Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF2805PBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 784-0274
Distrelec 货号:: 303-41-270
制造商零件编号:: IRF2805PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF2805PBF, HEXFET系列

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Distrelec 货号:: 303-41-270
制造商零件编号:: IRF2805PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	75A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4.7mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	150nC
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	330W
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.83 mm
	标准/认证	No
	长度	10.67mm
	高度	16.51mm
	汽车标准	否
	Distrelec Product Id	30341270

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 75A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4.7mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 330W
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.83 mm
	标准/认证 No
	长度 10.67mm
	高度 16.51mm
	汽车标准否
	Distrelec Product Id 30341270

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，75A 最大连续漏极电流，330W 最大功率耗散 - IRF2805PBF

这款功率 MOSFET 性能卓越，适用于各种电子应用。其坚固的规格专为工业环境而设计，可确保可靠性和效率。该元件具有低导通电阻，支持大电流能力，适用于高级电路。

特点和优势

• 支持最大 75A 的连续漏极电流

• 4.7mΩ 的低 RDS(on)，提高了效率

• 与 +20 V/-20 V 栅极源极电压兼容，提高了灵活性

• 能够快速切换，满足动态性能需求

• 支持重复雪崩处理，提高运行复原力

应用

• 用于工业电机驱动器，实现有效的功率控制

• 适用于自动化系统的电源管理

• 应用于可再生能源系统，实现高效切换

• 用于高性能和耐用的电动工具

• 适用于电动汽车电池管理系统

该元件能承受的最高温度是多少？

它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可在极端条件下发挥性能。

这种 MOSFET 如何处理大电流应用？

其设计可管理 75A 的持续漏极电流，因此适用于高电流需求。

能否用于需要快速切换的应用场合？

是的，这种 MOSFET 支持快速开关速度，非常适合需要动态性能的应用。

该设备是否适合在电源逆变器中使用？

是的，它的热稳定性和大电流处理能力使其适用于可再生能源系统中的功率逆变器应用。

它的低抗通性有什么影响？

低 RDS（on）降低了运行期间的功率损耗，有助于提高效率和热性能。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 75 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF2805PBF, HEXFET系列