Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML5203TRPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 784-0325
制造商零件编号:: IRLML5203TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML5203TRPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 784-0325
制造商零件编号:: IRLML5203TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	HEXFET
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	165mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	1.25W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	9.5nC
	正向电压 Vf	-1.2V
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.4 mm
	高度	1.02mm
	标准/认证	No
	长度	3.04mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 HEXFET
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 165mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 1.25W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.5nC
	正向电压 Vf -1.2V
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.4 mm
	高度 1.02mm
	标准/认证 No
	长度 3.04mm
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，3A 最大连续漏极电流，30V 最大漏极源极电压 - IRLML5203TRPBF

这种 MOSFET 是一种高性能功率器件，适用于电子领域的各种应用。这款 P 沟道器件采用紧凑型 SOT-23 封装，最大连续漏极电流为 3A，漏极-源极电压为 30V，具有极高的能效。它的尺寸为长 3.04 毫米、宽 1.4 毫米、高 1.02 毫米，非常适合空间有限的设计。

特点和优势

• 可提供 30V 漏极-源极电压，用途广泛

• 设计用于表面贴装，简化 PCB 设计

• 工作温度范围为 -55°C 至 +150°C

• 利用增强模式实现可靠的切换性能

应用

• 用于电池管理系统，以实现最佳性能

• 由于设计小巧，可用于便携式电子产品

• 应用于各种设备的负载管理解决方案

• 适用于先进的自动化控制系统

该器件的低 Rds(on) 有什么意义？

较低的 Rds（on）可确保减少运行期间的功率损耗，从而提高整体效率，并在应用中保持较低的热量水平。

功率耗散能力对设备性能有何影响？

高达 1.25W 的散热能力可实现有效的热管理，确保设备即使在最大负载条件下也能可靠运行，不会出现热故障。

哪些因素会影响为特定应用选择这种 MOSFET？

应考虑最大连续漏极电流、额定电压和热特性等因素，以确保与电路要求和预期性能兼容。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML5203TRPBF, HEXFET系列