Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 75 A，86 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
784-9215
制造商零件编号:
AUIRL3705Z
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

75 A，86 A

最大漏源电压

55 V

系列

HEXFET

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

8 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

130 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-16 V、+16 V

宽度

4.83mm

典型栅极电荷@Vgs

40 nC @ 10 V

长度

10.67mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

高度

9.02mm

正向二极管电压

1.3V

最低工作温度

-55 °C

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MX

汽车 N 通道功率 MOSFET，Infineon


Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，75A/86A 最大连续漏极电流，130W 最大功率耗散 - AUIRL3705Z


这款 MOSFET 专为汽车应用而设计，可确保在具有挑战性的环境中保持稳定的性能。它采用了先进的加工技术，提高了效率，降低了导通电阻，对大电流系统至关重要。全面的安全和热管理功能增强了其在现代电子应用中的重要性。

特点和优势


• 最大连续漏极电流为 86A，可确保稳健使用
• 导通电阻低至 8mΩ，可提高效率
• 快速切换能力，优化整体系统性能
• 可在高达 175°C 的高温条件下可靠运行
• 符合 AEC-Q101 标准的汽车资质要求
• 功率耗散能力高达 130W

应用


• 适用于汽车电源管理系统
• 用于电动汽车动力系统
• 适用于汽车电子产品中的直流-直流转换器
• 用于电池管理系统
• 有效控制机械马达

该元件能承受的最大栅源电压是多少？


它可以管理 ±16V 的最大栅极源极电压，确保与各种控制电路兼容。

大电流功能对我的应用有何益处？


86A 的持续漏极电流额定值可在功率密集型应用中实现稳定运行，提高效率并降低热应力。

该组件能否在高温下有效运行？


是的，它可以在高达 175°C 的温度下有效工作，因此适用于汽车环境。

如果超过建议的运行条件，是否有损坏的风险？


是，超过规定的绝对最大额定值可能会导致设备永久损坏。必须在建议的限度内运行，以确保可靠性。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。