Vishay P沟道增强型MOSFET管, Vds=20 V, 6 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
787-8992
制造商零件编号:
SI2323CDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

6 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

63 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

2.5 W

最大栅源电压

-8 V、+8 V

宽度

1.4mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

长度

3.04mm

典型栅极电荷@Vgs

16 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

高度

1.02mm

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor



MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor