Vishay , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 5.3 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI9945BDY-T1-GE3

不可供应
RS 不再对该产品备货。
包装方式:
RS 库存编号:
787-8995
Distrelec 货号:
304-02-278
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.3A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

72mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

3.1W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

标准/认证

No

高度

1.5mm

宽度

4 mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

Distrelec Product Id

30402278

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor