Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.1 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI4948BEY-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 787-9008
- 制造商零件编号:
- SI4948BEY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | RMB5.342 | RMB26.71 |
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| 1250 + | RMB5.026 | RMB25.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9008
- 制造商零件编号:
- SI4948BEY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.4W | |
| 正向电压 Vf | -0.8V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.1A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.4W | ||
正向电压 Vf -0.8V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||