Vishay P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=3.1 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
787-9008
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.1A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

150mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.4W

正向电压 Vf

-0.8V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.5nC

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

175°C

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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