Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.1 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.1A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

150mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.4W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

-0.8V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4 mm

高度

1.5mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor