Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 4.3 A，6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚

品牌

Vishay

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

4.3 A，6 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

65 mΩ, 140 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

2.78 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

4mm

长度

5mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

2

典型栅极电荷@Vgs

6 nC @ 10 V、7.8 nC @ 10 V

高度

1.5mm

最低工作温度

-55 °C