Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 210 mA, SC-75, 表面安装, 3引脚, SI1032R-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 787-9024
- 制造商零件编号:
- SI1032R-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB2.222 | RMB44.44 |
| 760 - 1480 | RMB2.155 | RMB43.10 |
| 1500 + | RMB2.09 | RMB41.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9024
- 制造商零件编号:
- SI1032R-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 210mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SC-75 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±6 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 340mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 1.68mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 0.86 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 210mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SC-75 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±6 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 340mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 1.68mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 0.86 mm | ||
汽车标准 否 | ||