Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 210 mA, SC-75, 表面安装, 3引脚, TrenchFET系列

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Mfr. Part No.:
SI1032R-T1-GE3
Brand:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

210mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-75

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

±6 V

最大功耗 Pd

340mW

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

宽度

0.86 mm

高度

0.8mm

长度

1.68mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor