Vishay , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 6.5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SI4946BEY-T1-GE3

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制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.5A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

52mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

3.7W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

175°C

高度

1.55mm

宽度

4 mm

标准/认证

No

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor