Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 4.4 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2319CDS-T1-GE3, Si2319CDS系列

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制造商零件编号:
SI2319CDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.4A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOT-23

系列

Si2319CDS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

108mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.6nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

2.5W

最高工作温度

150°C

宽度

1.4 mm

高度

1.02mm

标准/认证

No

长度

3.04mm

汽车标准

特点

•无卤素、符合 IEC 61249-2-21 标准

定义

• TrenchFET ® 功率 MOSFET

• 100 % rg 已测试

• 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用

•负载开关

• DC/DC 转换器

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor