Vishay , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 300 mA, SC-89-6, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1029X-T1-GE3

小计(1 包,共 20 件)*

¥64.46

(不含税)

¥72.84

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 1,560 个,准备发货
单位
每单位
每包*
20 +RMB3.223RMB64.46

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
787-9055
制造商零件编号:
SI1029X-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P型, N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

300mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SC-89-6

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.4V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

750nC

最大功耗 Pd

250mW

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

高度

0.6mm

标准/认证

No

长度

1.7mm

宽度

1.7 mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

双N/P通道MOSFET,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor