Vishay 单 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 3 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIHD3N50D-GE3, D Series系列
- RS 库存编号:
- 787-9143
- 制造商零件编号:
- SIHD3N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- SIHD3N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | D Series | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 D Series | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.38mm | ||