Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 3 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, D Series系列
- RS 库存编号:
- 787-9143
- 制造商零件编号:
- SIHD3N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.44 | RMB22.20 |
| 25 - 45 | RMB4.396 | RMB21.98 |
| 50 - 245 | RMB4.354 | RMB21.77 |
| 250 - 495 | RMB4.31 | RMB21.55 |
| 500 + | RMB4.268 | RMB21.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 787-9143
- 制造商零件编号:
- SIHD3N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 系列 | D Series | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
系列 D Series | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.2 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 104 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 10 V | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 2.38mm | ||