Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
787-9222P
制造商零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

6 A

最大漏源电压

12 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

19 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

1.7 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-8 V、+8 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

长度

3.04mm

最高工作温度

+150 °C

宽度

1.4mm

典型栅极电荷@Vgs

23 nC @ 8 V

最低工作温度

-55 °C

高度

1.02mm

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor