Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2333DDS-T1-GE3, Si2333DDS系列

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制造商零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

12V

系列

Si2333DDS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

19Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8 V

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大功耗 Pd

1.7W

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

高度

1.02mm

宽度

1.4 mm

标准/认证

No

汽车标准

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


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