Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=18 A, 8针, SOIC, Si4190ADY系列

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包装方式：
RS 库存编号:
787-9235
制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOIC

系列

Si4190ADY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.2Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20, +20V

最大功耗 Pd

6W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44.4nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

长度

5mm

高度

1.5mm

标准/认证

No

宽度

4mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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