Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 18 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4190ADY-T1-GE3, Si4190ADY系列

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RS 库存编号:
787-9235
制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

Si4190ADY

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.2Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44.4nC

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

6W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

高度

1.5mm

宽度

4 mm

长度

5mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor