Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 50 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
787-9342P
制造商零件编号:
SIR401DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

7.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12 V

最大功耗 Pd

39W

正向电压 Vf

-1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

205nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

5.26 mm

长度

6.25mm

高度

1.12mm

标准/认证

No

汽车标准

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor