Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, 8针, SO-8, SiR870ADP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
787-9355
制造商零件编号:
SIR870ADP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SO-8

系列

SiR870ADP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

53.5nC

最大功耗 Pd

104W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

5.26mm

长度

6.25mm

高度

1.12mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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