Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 58 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIRA14DP-T1-GE3, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
787-9389
制造商零件编号:
SIRA14DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

58A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.76V

最大功耗 Pd

31.2W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.4nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

6.25mm

高度

1.12mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor