Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SiHG30N60E-GE3, E系列

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RS 库存编号:
787-9421
制造商零件编号:
SiHG30N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

E

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

85nC

最大功耗 Pd

250W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

150°C

长度

15.87mm

高度

20.82mm

标准/认证

No

宽度

5.31 mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor


Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点


低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg

低输入电容 (Ciss)

低接通电阻(RDS(接通))

超低栅极电荷 (Qg)

快速切换

减少切换和传导损耗

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


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