Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 7.4 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SQ3419EV-T1_GE3, SQ Rugged系列

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787-9452
制造商零件编号:
SQ3419EV-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7.4A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TSOP-6

系列

SQ Rugged

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

78mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最大功耗 Pd

5W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1mm

长度

3.1mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor