Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 8 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, SQ3460EV-T1_GE3, SQ Rugged系列

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包装方式:
RS 库存编号:
787-9468P
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

SQ Rugged

包装类型

TSOP

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

53mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.77V

最大功耗 Pd

3.6W

最大栅源电压 Vgs

8 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.3nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

3.1mm

宽度

1.7 mm

高度

1mm

汽车标准

AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点


• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101