Vishay N型沟道 增强型 TrenchFET 功率 MOSFET, Vds=60 V, 25 A, TO-252, PCB安装, 3引脚, SQ Rugged系列

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制造商零件编号:
SQD25N06-22L_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

TrenchFET 功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SQ Rugged

包装类型

TO-252

安装类型

PCB安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.022Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

62W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

175°C

高度

2.38mm

宽度

6.22 mm

长度

6.73mm

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

汽车标准

AEC-Q101

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点


• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101