Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 32 A, SO-8, 表面安装, 5引脚, SQ Rugged系列

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包装方式:
RS 库存编号:
787-9496P
制造商零件编号:
SQJ412EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

32A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQ Rugged

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

8.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

83W

正向电压 Vf

0.8V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

长度

5mm

高度

1.14mm

标准/认证

No

宽度

5.03 mm

汽车标准

AEC-Q101

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点


• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101