Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 60 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7164DP-T1-GE3, Si7164DP系列

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制造商零件编号:
SI7164DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

Si7164DP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00625Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49.5nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

104W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

5.26 mm

长度

6.25mm

标准/认证

RoHS

高度

1.12mm

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor