DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 7.5 A, U-DFN2030, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 790-4586
- 制造商零件编号:
- DMN2016LHAB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB3.961 | RMB39.61 |
| 100 - 490 | RMB2.611 | RMB26.11 |
| 500 - 1490 | RMB1.981 | RMB19.81 |
| 1500 - 2990 | RMB1.715 | RMB17.15 |
| 3000 + | RMB1.681 | RMB16.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-4586
- 制造商零件编号:
- DMN2016LHAB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | U-DFN2030 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大功率耗散 | 1.2 W, 1.65 W | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 宽度 | 3.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 U-DFN2030 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 30 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最大功率耗散 1.2 W, 1.65 W | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
宽度 3.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2.05mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 0.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.