onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 340 mA, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
790-5246P
制造商零件编号:
2V7002WT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

340 mA

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-323

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

2.5 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

330 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

1.35mm

典型栅极电荷@Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

长度

2.2mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

0.9mm

N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor