onsemi P沟道增强型MOSFET管, Vds=20 V, 12.2 A, UDFN封装, 表面贴装, 6引脚

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RS 库存编号:
790-5270
制造商零件编号:
NTLUS3A18PZTAG
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

12.2 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

UDFN

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

40 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1V

最大功率耗散

3.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-8 V、+8 V

典型栅极电荷@Vgs

28 nC @ 4.5 V

长度

2mm

宽度

2mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

高度

0.5mm

最低工作温度

-55 °C

P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor