STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh K5, SuperMESH5系列, Vds=800 V, 6 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 791-7835
- 制造商零件编号:
- STP8N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
不可供应
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 950 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 系列 | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 950 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 110 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 10 V | ||
高度 15.75mm | ||
系列 MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics
STMicroelectronics N 沟道齐纳保护功率 MOSFET 采用 ST 革命性的雪崩强化极高电压 SuperMESH ™ 5 技术设计，基于创新的专有垂直结构。因此，接通电阻和超低栅极电荷显著降低，适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
全球最佳 FOM (业绩数字)
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
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通过 100% 雪崩测试
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics