STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, STR2N2VH5, STripFET V系列

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包装方式:
RS 库存编号:
791-7876P
制造商零件编号:
STR2N2VH5
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.3A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

系列

STripFET V

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

350mW

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

标准/认证

No

高度

1.3mm

汽车标准

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics