N沟道增强型MOS管 MDmesh M2系列, Vds=650 V, 5 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
791-9295
制造商零件编号:
STD7N60M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

5 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

950 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

60 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-25 V、+25 V

典型栅极电荷@Vgs

8.8 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

每片芯片元件数目

1

最低工作温度

-55 °C

高度

2.4mm

系列

MDmesh M2

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics


STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics