STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-252, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 791-9308P
- 制造商零件编号:
- STD80N4F6
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥78.87
(不含税)
¥89.12
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 + | RMB7.887 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-9308P
- 制造商零件编号:
- STD80N4F6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6mΩ | |
| 最大漏源电阻值 | 6 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
最大漏源电压 40 V | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6mΩ | ||
最大漏源电阻值 6 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 70 W | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 6.6mm | ||
高度 2.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.2mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。