STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 12 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, MDmesh K5, SuperMESH5系列
- RS 库存编号:
- 792-5704
- 制造商零件编号:
- STB13N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB25.198 | RMB125.99 |
| 25 - 45 | RMB24.36 | RMB121.80 |
| 50 - 245 | RMB23.198 | RMB115.99 |
| 250 - 495 | RMB22.094 | RMB110.47 |
| 500 + | RMB21.044 | RMB105.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5704
- 制造商零件编号:
- STB13N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 系列 | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 450 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 190 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
系列 MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 450 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 190 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
宽度 9.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 29 nC @ 10 V | ||
长度 10.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics