STMicroelectronics P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=12 A, 3针, TO-252, STripFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
792-5717
制造商零件编号:
STD26P3LLH6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-252

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

45mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

40W

最高工作温度

175°C

宽度

6.2mm

高度

2.4mm

长度

6.6mm

标准/认证

No

汽车标准

否

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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