STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=100 V, 180 A, 贴片安装, STripFET F3系列
- RS 库存编号:
- 792-5842
- 制造商零件编号:
- STH185N10F3-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥67.55
(不含税)
¥76.35
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB13.51 | RMB67.55 |
| 25 - 95 | RMB10.86 | RMB54.30 |
| 100 - 245 | RMB10.106 | RMB50.53 |
| 250 - 495 | RMB9.906 | RMB49.53 |
| 500 + | RMB9.71 | RMB48.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5842
- 制造商零件编号:
- STH185N10F3-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | STripFET F3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 315 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 114.6 nC @ 10 V | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 STripFET F3 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大漏源电阻值 4.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 315 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 114.6 nC @ 10 V | ||
长度 15.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics