STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 180 A, H2PAK, 表面安装, 3引脚, STripFET H7系列
- RS 库存编号:
- 792-5855P
- 制造商零件编号:
- STH270N8F7-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- 792-5855P
- 制造商零件编号:
- STH270N8F7-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | STripFET H7 | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 193nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 315W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 STripFET H7 | ||
包装类型 H2PAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 21mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 193nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 315W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.8 mm | ||
高度 4.8mm | ||
长度 10.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。