制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1500 V, Id=2.5 A, 3针, H2PAK, MDmesh系列

RS 库存编号:: 792-5861
制造商零件编号:: STH3N150-2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1500 V, Id=2.5 A, 3针, H2PAK, MDmesh系列

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RS 库存编号:: 792-5861
制造商零件编号:: STH3N150-2
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	2.5A
	最大漏源电压 Vd	1500V
	包装类型	H2PAK
	系列	MDmesh
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	9Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	140W
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	29.3nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	长度	10.4mm
	标准/认证	No
	高度	4.8mm
	宽度	15.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 2.5A
	最大漏源电压 Vd 1500V
	包装类型 H2PAK
	系列 MDmesh
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 9Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 140W
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29.3nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	长度 10.4mm
	标准/认证 No
	高度 4.8mm
	宽度 15.8mm
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1500 V, Id=2.5 A, 3针, H2PAK, MDmesh系列

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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