STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK, 表面安装, 3引脚, MDmesh系列
- RS 库存编号:
- 792-5861P
- 制造商零件编号:
- STH3N150-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 + | RMB30.485 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5861P
- 制造商零件编号:
- STH3N150-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1500V | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 1500V | ||
包装类型 H2PAK | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29.3nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.8mm | ||
宽度 15.8 mm | ||
汽车标准 否 | ||