STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=650 V, 22 A, PowerFLAT, 贴片安装, 5引脚, MDmesh M5系列
- RS 库存编号:
- 792-5896
- 制造商零件编号:
- STL34N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB50.50 |
| 25 - 99 | RMB45.90 |
| 100 - 249 | RMB39.80 |
| 250 - 499 | RMB35.80 |
| 500 + | RMB34.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5896
- 制造商零件编号:
- STL34N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 22 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | MDmesh M5 | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 120 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 宽度 | 8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 8mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
| 高度 | 0.88mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 22 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 MDmesh M5 | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 120 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 150 W | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
宽度 8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 8mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 62.5 nC @ 10 V | ||
高度 0.88mm | ||
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics