STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=2.5 A, 8针, PowerFLAT, MDmesh K5, SuperMESH5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
792-5903
制造商零件编号:
STL4N80K5
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

PowerFLAT

系列

MDmesh K5, SuperMESH5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.5Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

38W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.5nC

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

单

高度

0.95mm

长度

6.35mm

宽度

5.4mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

N 沟道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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