STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET H7系列, Vds=100 V, 80 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
792-6091
制造商零件编号:
STP80N10F7
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

10 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

110 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

长度

10.4mm

典型栅极电荷@Vgs

45 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

宽度

15.75mm

系列

STripFET H7

高度

4.6mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics