STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=60 A, 3针, TO-263, STripFET II系列

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包装方式：
RS 库存编号:
795-6944
制造商零件编号:
STB60NF06LT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

STripFET II

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

14mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-65°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

-15, +15V

最大功耗 Pd

110W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

9.35mm

长度

10.4mm

高度

4.6mm

汽车标准

AEC-Q101

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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