Toshiba N沟道增强型MOS管 TK系列, Vds=80 V, 157 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
796-5109
制造商零件编号:
TK72E08N1
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

157 A

最大漏源电压

80 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

4.3 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最大功率耗散

192 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

4.45mm

每片芯片元件数目

1

长度

10.16mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

81 nC @ 10 V

高度

15.1mm

系列

TK

MOSFET N 通道,TK 6 和 TK 7系列,Toshiba



MOSFET 晶体管,Toshiba