Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=100 A, 4针, SOT-669
- RS 库存编号:
- 798-2895P
- 制造商零件编号:
- PSMN0R9-25YLC,115
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 375 件 (以卷装提供)*
RMB7,783.88
(不含税)
RMB8,795.63
(含税)
有库存
- 1,086 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 375 - 747 | RMB20.757 |
| 750 + | RMB20.343 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2895P
- 制造商零件编号:
- PSMN0R9-25YLC,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | SOT-669 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.25mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 272W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 SOT-669 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.25mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 272W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.1mm | ||
汽车标准 否 | ||