Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 100 A, LFPAK、SOT-669, 贴片安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 798-2902P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R2-25YLC,115
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计 375 件 (以卷装提供)*
¥3,672.75
(不含税)
¥4,150.125
(含税)
有库存
- 1,395 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 375 + | RMB9.794 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 798-2902P
- 制造商零件编号:
- PSMN1R2-25YLC,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 封装类型 | LFPAK、SOT-669 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.7 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.95V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.05V | |
| 最大功率耗散 | 179 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
封装类型 LFPAK、SOT-669 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 1.7 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.95V | ||
最小栅阈值电压 1.05V | ||
最大功率耗散 179 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 66 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.1mm | ||
N 通道 MOSFET ，高达 30V
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors