Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=120 A, 3针, TO-263

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包装方式：
RS 库存编号:
798-2921
制造商零件编号:
PSMN1R7-60BS,118
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

306W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

137nC

最高工作温度

175°C

长度

10.3mm

高度

4.5mm

宽度

11mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
PH

N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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