Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 3针, TO-220

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包装方式：
RS 库存编号:
798-2930
制造商零件编号:
PSMN2R7-30PL,127
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

66nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

0.7V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

170W

最高工作温度

175°C

长度

10.3mm

宽度

4.7mm

标准/认证

No

高度

16mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
PH

N 通道 MOSFET ，高达 30V


MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


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